特定温度下奥氏体晶粒变化猜想。

清淡

我们知道过热是某一种材料在过高温度下保温时间过长造成的。这里的前提是温度过高、时间过长，那我们是否可以说在恰当温度下，不管保温时间多长，奥氏体晶粒是不会长大的？所以我有一些猜想：
1：如果某一温度下奥氏体晶粒只能长到一定程度。现在假设840只能长到6级，现在我930让它快速长到6级，然后快速降温到840，在这个温度下奥氏体晶粒是不是就停止长大了？因为之前高温快速的加热，奥氏体成分均匀化不充分，而在840下奥氏体晶粒不再长大，唯一可做的就是把奥氏体晶粒的成分更加均匀化。
2：如果说特定材料在特定温度下奥氏体晶粒长大有极限，那么是否说明，混晶出现的可能性只出现在成分不均的材料，因为在特定均匀成分下奥氏体晶粒只能到一定大小，如果出现混晶，那只能是因为成分的不均匀性，造成在不同温度下晶粒度不同？
3：在特定温度下奥氏体晶粒不变，在一个成分均匀的材料中（理想化情况下），在特定温度下超长时间保温，那么最终会不会每个晶粒基本一样大？

曾经最美

有个疑问：快速升温过程，表面跟心部的奥氏体晶粒能够做到同时长大么，感觉晶粒长大不充分（有些长大，有些还没有达到。。。）的可能性更大一点。。。

清淡

曾经最美 发表于 2016-3-29 16:06
有个疑问：快速升温过程，表面跟心部的奥氏体晶粒能够做到同时长大么，感觉晶粒长大不充分（有些长大，有些 ...

不好意思，条件说的不太清楚，并不是像感应淬火那么快。可以把试样假设到1mm厚，排除你说的这种情况后再进行下一步。